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MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可 以 广 泛 应 用 在 模 拟 电 路 和 数 字 电 路 当 中 。 MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有 输 入 / 输 出 特 性 曲 线、阈 值 电 压 VGS(th)、漏 电 流 IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。功率mos管大电流I-V测试脉冲源表认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六   使用普赛斯S系列高精度数字源表、P系列高精度台式脉冲源表对MOSFET常见参数进行测试。 输入/输出特性测试 MOSFET是用栅电压控制源漏电流的器件,在某一固定漏源电压下,可测得一条IDs~VGs关系曲线,对应一组阶梯漏源电压可测得一簇直流输入特性曲线。 MOSFET在某一固定的栅源电压下所得IDS~VDS 关系即为直流输出特性，对应一组阶梯栅源电压可测得一簇输出特性曲线。 根据应用场景的不同，MOSFET器件的功率规格也不一致。针对1A以下的MOSFET器件，推荐2台S系列源表搭建测试方案，Z大电压300V，Z大电流1A, Z小电流100pA，可以满足小功率MOSFET测试的需求。 针对Z大电流为1A~10A的MOSFET功率器件，推 荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案，其Z大电压 300V，Z大电流10A。 针对Z大电流为10A~100A的MOSFET功率器件， 推荐采用P系列脉冲源表+HCP搭建测试方案，Z大电流高达100A。