一．设备概述：  程控扩散炉采用仪表程序升温控方式操作，该设备用于半导体等行业的3-4英寸工艺硅片扩散、氧化、退火、合金等工艺。 
 
 二．设备类型：
方式：
手动操作方式，小工作台面


可配工艺管数量：

1-4管系统


净化台洁净度：

1000级（10000级厂房）


气体流量控制：

均用进口浮子流量计控制


送取片方式：

手动推拉


使用类型：

3-4寸炉管




三．设备主要参数：
工作温度：
300～1290℃


炉管有效口径:

￠150-190mm


总功率：

15-24KVA/管  保温功率：6-10KVA/管


三相五线制：

380V±10%，50Hz±10%，次级线不小于35平方高温线


报警:

具有超温报警，断偶报警，气体互锁等功能


恒温区长度及段数：

400-1100mm（3-5段控温）


控温精度：

± ℃（≧1000℃）


单点温度稳定性：

±1℃/72h


控温方式：

高精度仪表程序控制


热偶类型:

热电偶采用K/S/R型，每管Spike 4-6支热偶


可控升温范围：

(500～1285℃)0--15℃/min


可控降温范围：

(500～1285℃)0--10℃/min


设备总外形尺寸：

根据设备配置不同,尺寸有所不同




四．主要构成：
1、
设备主机


2、

加热系统


3、

排风冷却系统


4、

排箱（和设备主机做为一体）


5、

控制系统




设备主要特点和优势


 1★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间； 
 2★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰； 
 3★气体流量控制采用浮子流量计控制； 
 4★具有多种报警功能及安全保护功能；
5★恒温区手动调整，可准确控制反应管的实际工艺温度；