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在外置电容内有三颗导通芯片。导通芯片的电压为5v,而mosfet的电压则是5v。该产品具有较高的可靠性，可以满足直流电机控制器等各种应用需要。MMG50SRDE采用GD封装，具有低正向电压和高浪涌能力，并可以用于线整流器交变压器等。mmds的外部接口包括两个外置接头和两组功率放大器。在该器件中，可以选配一个高性能的输入端子，以提供更低的功耗。该产品还具有低于2ghz的工作频率。这款产品采用了高性能的igbt模块，支持多通道和多个独立输入端子。在该器件中，可以选配一个内部开关。这款产品还支持多个独立输出端子。在该器件中，可以选配两个内部开关。这款产品还具有高于2ghz的工作频率，并能够在电源转换器中提供更低的功耗。该产品还可以选配一个内部开关。
该产品采用了较新的效率高、低功耗设计。这些设计使得该产品能够提供较佳的稳定性，并降低成本。MMG50SRDE具有高性能，低功耗设计。它采用了一种全新的低电压输入和低电感包，从而满足了户对于直流变压器交流变压器交换机的需求。该产品的应用范围可以从直流变压器交换机到线整流器交换机。该产品具有高电流、高压等特性，可应用于直流电机和交流电机控制器的各种设备，如变压器、交流电机及其它变压器。MMG50SRDE还采用了一个效率高的电源管理软件。在该产品中，可以使用mmdss16v-5v输出，并且可以通过串行接口实现。
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