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MMGDB6TN应用于直流电机,线整流器交变压器等。该产品的电感包可以直接用于线整流器,并可以用于线整流器交变压器,其中电感包由三个部分组成，其中一个部件为mosfet,另一个部件为mosfet。该产品采用GD封装。该产品的电感包由四根导向的导通导线和一块外置电容构成。该产品在国内外市场上都有良好的市场前景。MMGDB6TN采用GD封装，具有低电感包等特点，该产品应用于直流电机，现场供电变压器交流电机控制器,线整流器等。该产品的功率密度为1whf。该产品的主要技术指标为低功耗、低噪声、无功损耗。其主要特点是高可靠性、高稳定性、高性能。
它采用了水平较高的封装工艺。在开关柜和控制器设计上均具有较高的稳定性。可以应用于直流电机、变压器、开关柜以及其它设备。该产品具有很好的稳定性。该产品具有良好的抗电流、稳定性和可靠性。该产品在国内外市场上具有很高的竞争力，已经获得了广泛应用。在生产过程中，MMGDB6TN不仅具有良好的稳定性和可靠性，而且还采用了国内外较好技术。该产品可广泛应用于工业电气、自动化控制系统，电力设备和电子元器件的设计与开发。目前，国内市场上主要用于直流电机的整流器，如直流输入变压器、交流变压器、直流输出变压器等。
在外置电容内有三颗导通芯片。导通芯片的电压为5v,而mosfet的电压则是5v。该产品具有较高的可靠性，可以满足直流电机控制器等各种应用需要。MMGDB6TN采用GD封装，具有低正向电压和高浪涌能力，并可以用于线整流器交变压器等。mmds的外部接口包括两个外置接头和两组功率放大器。2单元IGBT模块MMGDB6TN具有较好的抗冲击和抗干扰性能。该产品的主要特点①外形尺寸小；②功耗大；③可靠性强。在国内外上已经得到广泛应用。该产品采用GD封装，具有低正向电压，高浪涌电流能力，低漏电流能力，低漏电压等特点。该产品应用于直线变压器交通变压器等。
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