DIO82611同步整流快充芯片采用MHz级高频同步整流，适用于当前火热的氮化镓（GaN）大功率PD快充应用,支持24W,36W,45W,65W PD快充，DIO82611高频同步整流快充芯片采样独有的专利技术：快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制，DIO82611同步整流不仅具备非常好的匹配QR和ACF系统的高兼容性，同时更适于深度CCM模式，增强了安全工作稳定性。DIO82611高频同步整流快充芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计，有助于客户快速实现更小尺寸、支持35-65W不同功率等级的USB PD快充解决方案。
DIO82611高频提供可简化设计的集成功能，可在各种应用和频率中发挥出色的性能。DIO82611高频具备GAO效率特性，满足能源之星 (Energy Star) VI级和行为准则 (CoC) 2级等严格能效标准，非常适用于极小体积的中大功率GaN快充应用场景。
DIO82611高频同步整流快充芯片产品特性：
1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑
2、MOSFET VDS采样耐压高达230 V
3、开关频率：
–DIO82612 为 800 kHz TSOT23-6
–DIO82611为1MHz TSOT23-6
4、宽VIN范围：5~30V
5、栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力
6、自适应Toff时间，提高抗噪能力
7、兼容高压侧或低压侧整流
8、低启动电流：100μA（Typ.）
9、低待机电流：300μA（Typ.）
10、关断传播延迟：20ns（Typ.）
11、9.5V驱动钳位电压
DIO82611DIO82611同步整流快充芯片经过实验室多方面验证和严苛的老化考核，非常适合高功率密度中大功率快充应用,深圳GaN快充方案同步整流DIO82611芯片适用30W-65W快充方案，凯特瑞科技提供GaN快充方案同步整流DIO82611芯片报价，PD方案，30W-65W PD快充方案，技术和现货支持。
