降压电源ic
降压电源ic的架构在内部集成了高侧和低侧MOSFET，较低的RON可以优化产品的输出效率。降压电源ic芯片通过使用内部补偿电压控制高侧MOSFET的关断和低侧MOSFET的开启，实现对电流模式的控制。在每个周期中，降压电源ic开关电流会与由内部补偿电压产生的参考电流进行比较。当峰值开关电流与参考电流相交时，高侧开关关闭。与此同时，当低侧MOSFET打开时，传导电流会受到内部电路监测。降压电源ic正常运行期间，低侧MOSFET为负载提供源极电流。在每个时钟周期结束时，将低侧MOSFET源极电流与内部设定的低侧源极电流限值进行比较。当电感谷电流超过低侧源电流限值，在下一个周期内高侧MOSFET不会导通，而低侧MOSFET继续保持导通。当电感峰值电流低于500mA时，芯片会认为负载是轻载且能根据负载电流情况逐渐降低开关频率，从而实现轻载
降压电源ic凭借具备出色的抗过载性能、、小尺寸封装等诸多优势，正成为国产高性价比模拟芯片的物料。
