深圳市盈富仕科技有限公司
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PSMN1R4-40YLDX
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  • Email地址:sales@youngfacetech.com
  • 公司地址:广东省深圳市福田区深南中路3027号嘉汇新城汇商中心3608-3613、3615之3608D
产品介绍
包装 : 带卷(TR) 可替代的包装 FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss) : 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 100A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn( 值) : 1.4 毫欧 @ 25A,10V 不同Id时的Vgs(th)( 值) : 2.2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 96nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 6661pF @ 20V 功率- 值 : 238W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装 : LFPAK56,Power-SO8