深圳市凯特瑞科技有限公司
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MTFC64GAKAEYF-4MITFLASH存储芯片
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产品介绍
原装64G NAND MTFC64GAKAEYF-4M IT存储芯片 e.MMC MLC NAND闪存64 GB容量 2.7V至3.6V供电电压 封装:153-Ball LFBGA MTFC64GAKAEYF-4M存储芯片是用来存储程序和数据的部件,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。主存储芯片又称内存储器(简称内存,或称记忆体)。 DRAM就是我们一般在用的内存,而NAND Flash 闪存,它在做的事情其实是硬盘。 易失性存储器(VM):电源开启时资料存在,电源关闭则资料立刻流失(资料挥发掉),例如:SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。 非易失性存储器(NVM):电源开启时资料存在,电源关闭资料仍然可以保留,例如:ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。 静态随机存取存储器(SRAM) 以 6 个晶体管(MOS)来储存 1 个位(1bit)的资料,而且使用时“不需要”周期性地补充电源来保持记忆的内容,故称为“静态”(Static)。 动态随机存取存储器(DRAM) 以一个晶体管(MOS)加上一个电容(Capacitor)来储存一个位(1bit)的资料,而且使用时“需要”周期性地补充电源来保持记忆的内容,故称为“动态”(Dynamic)。 同步动态随机存取存储器(SDRAM) CPU与主机板上的主存储器(SDRAM)存取资料时的“工作时脉”(Clock)相同,故称为“同步”(Synchronous)。 SRAM 比较快、 DRAM 比较慢;SRAM 比较贵、DRAM 比较便宜。 Flash(闪存)由于具备了重量轻、体积小、功率低等优点,被应用在各类电子产品的硬盘上。Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。 NOR Flash 比 NAND Flash 更早导入市场。读取的速度较快,但写入的速度慢、价格也比 NAND Flash 贵。 NAND Flash 写入的速度快、价格较低,故目前以 MTFC64GAKAEYF-4M NAND Flash 为普遍。 另外,固态硬盘SSD也是以 NAND 型 Flash 为基础所建构的储存装置。 易失性存储分成 DRAM 和 SRAM。 SRAM 更快但价格更贵,所以主存储器多用 DRAM、快取多用 SRAM。 Flash 又分成 NOR Flash 与 NAND Flash( 64G MTFC64GAKAEYF-4M)。