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IGBT测试难点： 1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。 2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。 3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。 4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。 5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。 6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。 大功率IGBT静态参数测试仪简介 功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可J准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。